DFG-NSF-Materials World Network: Spin-Effekte in quasi-1D Systemen in Halbleitern mit niedriger Bandlücke (I)

In den letzten zehn Jahren ist sehr intensiv Grundlagenforschung zu Spin-Effekten in Halbleitern und Halbleiternanostrukturen vorangetrieben worden, motiviert durch die M?glichkeit eine neue ?ra in der Elektronik ("Spinelektronik") und Informationstechnologie zu er?ffnen. Hierbei wird untersucht, wie der intrinsische Spin von Ladungstr?gern kontrolliert beeinflusst werden kann, um neue effiziente Funktionalit?ten für elektronische Bauelemente für Hochfrequenzanwendungen und niedrigem Leistungsverbrauch zu schaffen. Einzigartige Eigenschaften werden durch besondere Nanostrukturen gegeben, bei denen die Systemdimensionalit?t und Quanteneffekte eine Rolle spielen. Bei vorhandener Spin-Bahn(SB)-Wechselwirkung wird es m?glich den Spin anhand von elektrischen Gleich- und Wechselfeldern zu beeinflussen und zu steuern. In diesem Projekt wird gemeinsam mit der Partnergruppe an der University at Buffalo (UB), NY, USA, ein dreij?hriges experimentelles Forschungsvorhaben bearbeitet mit weiteren Kooperationen in der Theorie und der Materialherstellung. Der Forschungsschwerpunkt liegt in dem Grundlagenverst?ndnis der SB-Kopplungseffekte in quasi-eindimensionalen (1D) InAs-basierten Heterostrukturen, in denen spin-abh?ngige Ph?nomene untersucht werden und die M?glichkeiten zur Nutzung in neuen spin-elektronischen Bauelementen ausgelotet werden.