Lochinjektionsbarrieren an Grenzschichten zwischen leitf?higen und elektrolumineszenten Polymeren

Die elektronische Struktur von Grenzfl?chen in OLEDs bestimmt weitgehend deren Funktionsweise und die erzielbare Effizienz. Beispielsweise sollen die Injektionsbarrieren für Ladungstr?ger an der Anode und Kathode minimal sein, und die Energieniveaus von Triplett-Emittern müssen denen der Matrix angepasst sein. Nur die genaue Kenntnis der relativen Lage aller Energieniveaus innerhalb einer OLED-Struktur erlaubt es, die Zusammenh?nge von Materialeigenschaften und OLED-Effizienz verl?sslich zu etablieren. Dies schafft langfristig die M?glichkeit, eine wissensbasierte Strategie zur Verbesserung neuer Materialien zu definieren.
Mittlerweile ist es erwiesen, dass separat - am Einzelmaterial - bestimmte Werte für die Ionisationsenergie,
Elektronenaffinit?t, oder Austrittsarbeit keine verl?ssliche Relevanz für die tats?chliche elektronische Struktur an Grenzfl?chen haben. Durch das Auftreten von Grenzfl?chendipolen, deren genaue Ursachen noch Thema von vielen grundlegenden Forschungsunternehmungen sind, ist die elektronische Struktur an den meisten Grenzfl?chen nicht durch das Schottky-Mott-Limit absch?tzbar, und diese muss somit experimentell für jeden Einzellfall bestimmt werden. Zus?tzlich k?nnen Energieniveaus an Grenzfl?chen noch von der Morphologie der organischen Schichten abh?ngen. Das Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, die Zusammenh?nge zwischen der elektronischen Struktur von OLED-Grenzfl?chen und der Effizienz von OLEDs in eindeutiger Form aufzukl?ren.